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器件結(jié)構(gòu)與有機(jī)ELD發(fā)光效率和壽命

    作者:宏拓新軟件
    發(fā)布日期:2008-10-14         
閱讀:54     
 
 
摘要:描述了有機(jī)EL器件結(jié)構(gòu)設(shè)計與其效率和壽命的關(guān)系,混合型結(jié)構(gòu)的有機(jī)ELD的效率和壽命要比傳統(tǒng)異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件高得多。采用陽極buffer layer(如CuPc)、陰極buffer layer(如LiF)以及向HTL(空穴傳輸層)中的染料摻雜也會明顯提高效率并增加壽命。比較了不同陰極接觸模式,如Al:Li/Alq3,Al/LiF/Alq3,Al/LiF:Alq3/Alq3及Al/Li:Alq3/Alq3等對器件效率及壽命影響差異。結(jié)果表明,無論哪種陰極接觸模式都會提高器件的效率及壽命;而對陰極buffer layer或引入染料摻雜模式,均可以控制或調(diào)整空穴的注入,陰極buffer layer是為了增加電子注入,兩者目的都是為了防止或減小在發(fā)光分子(如Alq3)中被稱之為“空穴陽離子”(如[Alq3+)的不穩(wěn)定劑的產(chǎn)生。

1 引言
隨著有機(jī)電致發(fā)光二極管(ELD)研究的進(jìn)展,對有機(jī)ELD效率、壽命及其他性能與其器件結(jié)構(gòu)依賴關(guān)系的認(rèn)識也越來越清楚。要獲得性能優(yōu)良的有機(jī)EL器件,一般是首先選擇合適的材料,而材料的性能往往要通過最佳化結(jié)構(gòu)的器件來體現(xiàn),也就是說,合理的器件結(jié)構(gòu)將充分發(fā)揮材料的性能。本文就如何進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計提高器件EL效率和壽命等性能問題,特別是通過消除有機(jī)功能層與層之間界面的方法來達(dá)到提高有機(jī)EL效率及壽命等問題給以綜合評述。

2 具有雙極傳輸層的有機(jī)ELD
在有機(jī)ELD研究中發(fā)現(xiàn),有機(jī)層太厚會導(dǎo)致工作電壓增高及效率下降,由于有機(jī)膜層界面不形成固有p-n結(jié),而僅在界面處存在勢壘,而且有機(jī)材料往往是一種載流子占優(yōu)勢,因而從一個電極注入的載流子不經(jīng)復(fù)合就可能漂移或擴(kuò)散到對電極一側(cè),從而降低器件效率。于是人們采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),使復(fù)合區(qū)與金屬電極之間有一定的距離,從而防止電極表面對載流子的猝滅作用。然而,這樣又會產(chǎn)生另一不理想的結(jié)果,積累在界面上的電壓會形成局部高電場,這種高電場反過來又會影響器件的可靠性。這就使人們想到如何設(shè)法消去異質(zhì)界面,

防止異質(zhì)界面形成電場有問題。圖1示出了消去異質(zhì)界面的新型有機(jī)ELD結(jié)構(gòu),BTEL(Bipolar transport emitting layer,雙極傳輸-發(fā)射層)是由Mqa(甲基喹吖啶)摻雜的100nmNPB(萘基取代的TPD):Alq3(8-羥基喹啉鋁)的混合層;靠近ITO的緩沖層(Buffer layer)為CuPc(銅的酞箐配合物);靠近金屬電極的功能層是未摻雜的NPB:Alq3混合層。由于采用了混合層結(jié)構(gòu),不再存在層間界面,因而可以更好地平衡載流子注入與傳輸,它的發(fā)射光譜表明了復(fù)合中心位于Mqa分子。這種器件與普通的器件結(jié)構(gòu)相比,工作壽命得到了明顯的提高(可達(dá)7×104h)。

3 有不同陰極接觸模式的雙極性有機(jī)ELD
Choong等研究了摻有LiF的BTEL有機(jī)ELD結(jié)構(gòu)及Alq3對壽命的延長作用的機(jī)理。在文獻(xiàn)的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,向靠近金屬電極處的混合層NPB:Alq3(1:1)摻入LiF,如圖2所示,對比了不同金屬電極與異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件的EL性能。

實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn),在摻雜型器件中復(fù)合主要發(fā)生在Mqa摻雜劑分子上復(fù)合,而且與其他結(jié)構(gòu)相比器件效率最高。這種辦法可以防止或明顯減少作為不穩(wěn)定中心的[Alq3+的產(chǎn)生。對4種不同的陰極接觸模式(1)Al:Li/Alq3;(2)Al/LiF/Alq3;(3)Al/LiF:Alq3/Alq3及(4)Al/Li:Alq3/Alq3的LED器件性能進(jìn)行了比較發(fā)現(xiàn),接觸模式(4)雖然可以使器件EL效率提高,但器件穩(wěn)定性不理想,這可能是由于Li擴(kuò)散到復(fù)合區(qū),形成非輻射復(fù)合中心的緣故;其次,模式(1)也會給出高效的EL器件,但由于Al:Li比例難以控制,很難實現(xiàn)良好的器件制作重復(fù)性;模式(2)是BTEL和異質(zhì)結(jié)構(gòu)的組合,它的效率提高是由于在Al與Alq3之間的Li維持一個勢能差,使電子可以隧穿注入,而且當(dāng)Alq3表面與LiF接觸時,由于降低Alq3/Al界面的勢壘,從而會使Alq3能帶向下彎曲。圖3示出具有不同模式的器件室溫壽命實驗結(jié)果。

4 器件結(jié)構(gòu)與器件壽命的關(guān)系
用同樣材料制備不同結(jié)構(gòu)的器件,將導(dǎo)致器件的有機(jī)EL性能有很大差異。當(dāng)分別用TPD和Alq3作為空穴和電子傳輸一發(fā)射材料時,通過兩者最佳膜層的組合,將得到相當(dāng)理想的器件性能。我們研究組的研究也表明采用混合發(fā)射層的器件結(jié)構(gòu)可大幅度提高稀土有機(jī)EL的效率及壽命,當(dāng)把空穴傳輸層與發(fā)射層混合在一起

得到的器件效率:在0.3mA/cm2時,可達(dá)3%,比異質(zhì)層結(jié)構(gòu)器件效率提高一個量級;初始亮度為100cd/m時的壽命可超過200h,比異質(zhì)層結(jié)構(gòu)器件壽命增加2個量級,而且更主要的是采用消除界面的結(jié)構(gòu)還能獲得異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)器件完全不能獲得的純Eu3+紅色窄帶線譜發(fā)射。Popovic等人研制出了結(jié)構(gòu)為ITO/TPD/TPD:Alq3/Alq3/Mg:Ag的有機(jī)EL器件。結(jié)果表明,在初始亮度為1000cd/m2時的半壽命時1400h,而一般疊層結(jié)構(gòu)器件僅為十幾小時,這表明室溫時器件老化既不是由于HTL表面的形態(tài)變化,也不是由于ITO/NPB界面的老化。Aziz等人比較了各種器件結(jié)構(gòu)與器件穩(wěn)定性的關(guān)系。結(jié)果發(fā)現(xiàn),在ITO/NPB界面引入CuPc及紅螢烯(Rubrene)摻雜到HTL可以延長器件工作壽命。CuPc的引入可以適當(dāng)抑制空穴向HTL的注入,而摻雜劑的引入會產(chǎn)生空穴陷阱而降低空穴在HTL中的移動。這兩種方法都會導(dǎo)致減少空穴向HTL/Alq3界面的傳輸和注入,也就是如前面所說的減少或不生成[Alq3]+,稱CuPc和摻雜劑為“穩(wěn)定劑”,所謂“空穴陽離子”實際上就是老化了的Alq3分子[Alq3]+。用同樣的材料制得的雙層傳統(tǒng)器件效率為3.1cd/m2,而引入厚度為15nmCuPc的器件效率則增至4.2cd/m2。引入NPB與Alq3的混合層,可以改善載流子平衡,當(dāng)空穴進(jìn)入混合層時,先停留在NPB分子上,這是因為NPB(5:1eV)的離化能低于Alq3(5:6eV),而電子殘留在Alq3位置上生成[Alq3]-,NPB與[Alq3]-分子在混合層接觸很近時,空公安部會與[Alq3]-陰離子直接復(fù)合產(chǎn)生激發(fā)態(tài),這個占優(yōu)勢的復(fù)合過程防止了空穴陽離子的形成。這一結(jié)論還可以解釋HTL的離化能與器件穩(wěn)定性的關(guān)系,HTL的離化能越低,器件越穩(wěn)定。也就是說,HTL的離化能低將使空穴難以向HTL/Alq3界面注入,最后也就減少了空穴向Alq3的注入量,這就降低了在HTL/Alq3界面附近的高電子濃度,它會減少空穴陽離子的壽命,最后提高了器件壽命。同樣,這個機(jī)理也可以解釋為什么必須采用低功函數(shù)的金屬作為陰極材料,用低功函數(shù)金屬會增加在HTL/Alq3界面附近Alq3分子上的電子密度,最后也會增加器件的壽命。
最近,關(guān)于小分子有機(jī)EL器件衰退或老化機(jī)制越來越明確,很多實驗都證明壽命的延長主要來源于空穴注入的降低,也就是說,這個因素要比空穴表面形態(tài)變化重要得多。

5 小結(jié)
本文描述了器件結(jié)構(gòu)與有機(jī)ELD效率和穩(wěn)定性的關(guān)系,在材料相同的情況下,器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計至關(guān)重要,優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)可以最大限度發(fā)揮材料的效率,而指導(dǎo)器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計來源于對器件物理及EL及發(fā)光本質(zhì)及老化機(jī)制的深入認(rèn)識。

 

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