中国女人做爰高潮视频_国产成人无码一区AV在线观看_97色图片_好日子在线观看视频大全免费动漫_久久国产视频网站_暗黑圣经在线观看_亚洲国产中文在线视频_8090韩国理伦片在线观看_一男一女做爰高潮A片韩剧_我们中文在线视频_暖暖 在线 高清 免费 日本_天堂网最新版_妈妈和姐姐交换在线观看_亚洲精品久久久久久一区_亚洲精品久久无码午夜一区二区_国产成年无码V片在线_精品人妻无码一区二区三区下一页_色妞网欧美_成人午夜视频一区二区国语_欧美精品与人动性物交免费看

  專注行業(yè)ERP管理軟件二十年,成就發(fā)展夢(mèng)想
 
 站內(nèi)搜索
 
EDC系列軟件   EDC系列軟件
   
 
 
 
 
 
 
dg
 
解決方案   解決方案
   
 
 
 
 
 
 
dg
 
聯(lián)系方式
 
電話:0755-29165342
傳真:0755-29183559
咨詢熱線:13544129397
聯(lián)系人:劉先生
dg
 
關(guān)于EDC
 
聯(lián)系我們
 
解決方案
 
新聞中心
您當(dāng)前所在位置:首頁(yè) > 新聞中心
 
d
 
LED外延片(外延)的成長(zhǎng)工藝

    作者:宏拓新軟件
    發(fā)布日期:2008-08-05         
閱讀:55     
 
 

今天來探討LED外延片的成長(zhǎng)工藝,早期在小積體電路時(shí)代,每一個(gè)6吋的外延片上制作數(shù)以千計(jì)的芯片,現(xiàn)在次微米線寬的大型VLSI,每一個(gè)8吋的外延片上也只能完成一兩百個(gè)大型芯片。外延片的制造雖動(dòng)輒投資數(shù)百億,但卻是所有電子工業(yè)的基礎(chǔ)。
硅晶柱的長(zhǎng)成,首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中,并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì),使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì),接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱,以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹:

長(zhǎng)晶主要程式:
1、融化(MELtDown)
此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制高于攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中最重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng),若使用較大的功率來融化復(fù)晶硅,石英坩鍋的壽命會(huì)降低,反之功率太低則融化的過程費(fèi)時(shí)太久,影響整體的產(chǎn)能。

2、頸部成長(zhǎng)(Neck Growth)
當(dāng)硅融漿的溫度穩(wěn)定之后,將方向的晶種漸漸注入液中,接著將晶種往上拉升,并使直徑縮小到一定(約6mm),維持此直徑并拉長(zhǎng)10-20cm,以消除晶種內(nèi)的排差(dislocation),此種零排差(dislocation-free)的控制主要為將排差局限在頸部的成長(zhǎng)。

3、晶冠成長(zhǎng)(Crown Growth)
長(zhǎng)完頸部后,慢慢地降低拉速與溫度,使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。

4、晶體成長(zhǎng)(Body Growth)
利用拉速與溫度變化的調(diào)整來遲維持固定的晶棒直徑,所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度,于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會(huì)逐漸增加,此輻射熱源將致使固業(yè)介面的溫度梯度逐漸變小,所以在晶棒成長(zhǎng)階段的拉速必須逐漸地降低,以避免晶棒扭曲的現(xiàn)象產(chǎn)生。
 
5、尾部成長(zhǎng)(Tail Growth)
當(dāng)晶體成長(zhǎng)到固定(需要)的長(zhǎng)度后,晶棒的直徑必須逐漸地縮小,直到與液面分開,此乃避免因熱應(yīng)力造成排差與滑移面現(xiàn)象。

切割:
晶棒長(zhǎng)成以后就可以把它切割成一片一片的,也就是外延片。芯片, 圓片,是半導(dǎo)體元件"芯片"或"芯片"的基材,從拉伸長(zhǎng)出的高純度硅元素晶柱 (Crystal Ingot)上,所切下之圓形薄片稱為外延片(外延片)。

磊晶:
砷化鎵磊晶依制程的不同,可分為L(zhǎng)PE(液相磊晶)、MOCVD(有機(jī)金屬氣相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。LPE的技術(shù)較低,主要用于一般的發(fā)光二極體,而MBE的技術(shù)層次較高,容易成長(zhǎng)極薄的磊晶,且純度高,平整性好,但量產(chǎn)能力低,磊晶成長(zhǎng)速度慢。MOCVD除了純度高,平整性好外,量產(chǎn)能力及磊晶成長(zhǎng)速度亦較MBE為快,所以現(xiàn)在大都以MOCVD來生產(chǎn)。

其過程首先是將GaAs襯底放入昂貴的有機(jī)化學(xué)汽相沉積爐(簡(jiǎn)MOCVD,又稱外延爐),再通入III、II族金屬元素的烷基化合物(甲基或乙基化物)蒸氣與非金屬(V或VI族元素)的氫化物(或烷基物)氣體,在高溫下,發(fā)生熱解反應(yīng),生成III-V或II-VI族化合物沉積在襯底上,生長(zhǎng)出一層厚度僅幾微米(1毫米=1000微米)的化合物半導(dǎo)體外延層。長(zhǎng)有外延層的GaAs片也就是常稱的外延片。外延片經(jīng)芯片加工后,通電就能發(fā)出顏色很純的單色光,如紅色、黃色等。不同的材料、不同的生長(zhǎng)條件以及不同的外延層結(jié)構(gòu)都可以改變發(fā)光的顏色和亮度。其實(shí),在幾微米厚的外延層中,真正發(fā)光的也僅是其中的幾百納米(1微米=1000納米)厚的量子阱結(jié)構(gòu)。
反應(yīng)式: Ga(CH3)3 +PH3= GaP+3CH4

 

[打印本頁(yè)]  [關(guān)閉窗口] 

 
 
 
深圳市宏拓新軟件有限公司   電話:0755-29165342 29165247  傳真:0755-29183559   24小時(shí)咨詢熱線:13544129397   聯(lián)系人:劉先生    網(wǎng)站地圖
地址:深圳市龍華區(qū)民治街道東邊商業(yè)大廈6樓  Copyright © 2004 - 2025 EDC Corporation, All Rights Reserved 粵ICP備06070166號(hào)
 
手機(jī):13544129397
主站蜘蛛池模板: 桦甸市| 阿勒泰市| 定州市| 松原市| 廉江市| 岳西县| 六枝特区| 会同县| 东乌珠穆沁旗| 洪泽县| 宽城| 盐源县| 金华市| 凉城县| 威远县| 广丰县| 正镶白旗| 元江| 荣成市| 天峻县| 高阳县| 岢岚县| 昔阳县| 林甸县| 平安县| 遂川县| 金阳县| 文昌市| 濮阳市| 花垣县| 凤庆县| 巧家县| 冕宁县| 娄烦县| 攀枝花市| 铜梁县| 石狮市| 治多县| 肥城市| 邢台市| 莲花县|